anod/oaf-boost
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anod 2022-10-22 21:09:34 +08:00
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source/arm11/open_agb_firm.c
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@ -136,9 +136,6 @@ atp_text_t config_help[] =
"~ ~ ~ ~ ~ ~ ~",
"修改后的全局参数保存在config.ini",
"保存修改时，存档方案的修改不会保存",
"每个游戏最后一次存档方案会单独保存",
"默认是“和卡带序列号一致”，会检查并",
"优先使用最后一次打开游戏的存档方案",
"~ ~ ~ ~ ~ ~ ~",
"上下方向键　　　　　　切换参数项目",
"左右方向键　　　　　　　　　　翻页",
@ -256,7 +253,10 @@ atp_error_t oaf_config_page()
memcpy( base, &g_oafConfig, sizeof(g_oafConfig) );
OafConfig *prev = (OafConfig*)&base[0];
ee_snprintf(title, sizeof(title), "参数配置　　　　　　　　　　　当前电量:%3d%%", MCU_getBatteryLevel());
ee_snprintf(
title, sizeof(title),
"参数配置　　　　　　　　　　　当前电量:%3d%%"
"每个游戏最后一次存档类型信息会单独保存。每次启动的存档方案是“和卡带序列号一致”，这个方案会检查并优先使用最后一次打开游戏的存档方案", MCU_getBatteryLevel());
atp_error_t res = atp_select( title, 4, config_item, config_adjust, NULL, 0, 0, NULL );
if( res == ATP_NO_ACTION )
{